Maßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich Gateoxiddefekten

Hagen Sämrow

doi:10.18453/rosdok_id00001479

Hagen Sämrow

Maßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich Gateoxiddefekten

Universität Rostock, 2015

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001479

Abstract: Die fortschreitende Skalierung führt zur Verbesserung dynamischer Parameter einer integrierten Schaltung, aber auch zu Verschleißerscheinungen, die die Lebensdauer dieser Schaltungen allein durch den Betrieb signifikant begrenzen. Die vorliegende Arbeit stellt neue Ansätze auf Gatterebene zur Erhöhung der Zuverlässigkeit für kombinatorische integrierte Schaltungen hinsichtlich Gateoxiddefekten vor, die sich in einen standardisierten CMOS-Designablauf integrieren lassen. Des Weiteren befasst sich diese Arbeit mit der Entwicklung eines Simulators zur Analyse der Auswirkungen von Gateoxiddefekten.

Dissertation Freier Zugang

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Titel:

Maßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich Gateoxiddefekten

Beteiligte Personen:

Hagen Sämrow[VerfasserIn]
	106591959X
Dirk Timmermann , Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn]
	132790505
	Universität Rostock, Institut für Angewandte Mikroelektronik und Datentechnik
Maurits Ortmanns , Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn]
	Universität Ulm, Institut für Mikroelektronik
Christian Haubelt , Prof. Dr.-Ing. habil.[AkademischeR BetreuerIn]
	Universität Rostock, Institut für Angewandte Mikroelektronik und Datentechnik

Beteiligte Körperschaften:

Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik[Grad-verleihende Institution]
	10085032-7

Zusammenfassung:

Die fortschreitende Skalierung führt zur Verbesserung dynamischer Parameter einer integrierten Schaltung, aber auch zu Verschleißerscheinungen, die die Lebensdauer dieser Schaltungen allein durch den Betrieb signifikant begrenzen. Die vorliegende Arbeit stellt neue Ansätze auf Gatterebene zur Erhöhung der Zuverlässigkeit für kombinatorische integrierte Schaltungen hinsichtlich Gateoxiddefekten vor, die sich in einen standardisierten CMOS-Designablauf integrieren lassen. Des Weiteren befasst sich diese Arbeit mit der Entwicklung eines Simulators zur Analyse der Auswirkungen von Gateoxiddefekten. [Deutsch]

Dokumenttyp:

Dissertation

Einrichtung:

Fakultät für Informatik und Elektrotechnik

Sprache:

Deutsch

Sachgruppe der DNB:

620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

Veröffentlichung /
Entstehung:

Rostock

Rostock: Universität Rostock

2015