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Daniel Lexow

Ansteuerung rückwärts leitfähiger IGBT mit einer ausgeprägten Abhängigkeit des Diodenverhaltens von der Gate-Emitter Spannung

Universität Rostock, 26.03.2025

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00005554

Abstract: In Spannungsklassen bis 6,5 kV ist der IGBT in Anwendungen wie Bahnantrieben, Windkraft und HVDC unverzichtbar. Der rückwärtsleitfähige (RC)-IGBT integriert die Diodenfunktion in den IGBT und erhöht so die Stromtragfähigkeit, Robustheit und Lebensdauer. Diese Arbeit untersucht RC-spezifische Herausforderungen wie stromrichtungsabhängige Ansteuerung und die Reduzierung von Schaltverlusten und zeigt auf, wie eine intelligente Ansteuerung den sicheren verlustoptimierten Betrieb sowie den effizienten Einsatz von RC-IGBTs in technischen Anwendungen ermöglichen kann.

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