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| IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze |
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| contributing persons: |
| Jan Fuhrmann[VerfasserIn] |
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1110040296 |
| Hans-Günter Eckel
, Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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115363866 |
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Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik |
| Nando Kaminski
, Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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173464920 |
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Universität Bremen, Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente |
| Daniel Domes
, Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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137778538 |
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Infineon Technologies AG |
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| contributing corporate bodies: |
| Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik[Grad-verleihende Institution] |
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10085032-7 |
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| abstract: |
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In dieser Arbeit wird ein Schutzkonzept für ein Hochvolt-Halbleiterversuchsplatz vorgestellt,
dessen zentrales Element ein serieller Insulated-Gate Bipolar Transistor ist, der
den Zwischenkreis im Fehlerfall von der Fehlerstelle trennt. In diesem IGBT treten
verschiedene Kurzschlussfälle auf. Der Verlauf des Kurzschlusses und das Zusammenspiel
der Leistungshalbleiter kann mit Hilfe eines Ersatzschaltbildes erklärt werden. Die
Kurzschlussfallverläufe können anhand von Wirkungsketten dargestellt werden. Die Wirksamkeit
dieser Fehlerstrombegrenzung wird an einem echten Ausfall demonstriert.
[German] |
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| document type: |
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| institution: |
| Faculty of Computer Science and Electrical Engineering |
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| language: |
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| subject class (DDC): |
| 620 Engineering & allied operations |
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publication /
production: |
Rostock
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Rostock: Universität Rostock
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2016
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| identifiers: |
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| access condition: |
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| license/rights statement: |
all rights reserved
This work may only be used under the terms of the German Copyright Law (Urheberrechtsgesetz). |
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| RosDok id: |
rosdok_disshab_0000001597 |
| created / modified: |
04.08.2016 / 08.08.2023
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| metadata license: |
The metadata of this document was dedicated to the public domain
(CC0 1.0 Universal Public Domain Dedication). |
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